我用的tsmc65nm 1p7m 工艺， 并打算把m7和ap (rdl)层只用做 主要的power strap打满全部芯片。但是由于m7 default下是横向走线，这样在打m1 rail时， rail不好直接向. 版图画完了到最顶层包含pad的时候跑full chip drc检查的时候会报lup的错误。具体是lup.4错误，描述是说within 15 um space from the od injector, minimum width for. 請問各位大大,什麼是guard ring,strap,pick up 什麼是guard ring,strap,pick up ,eetop 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) Drc lup.6g drc一直有这样的错误 lup.6g { @ any point inside nmos source/drain space to the.
我用的Tsmc65Nm 1P7M 工艺， 并打算把M7和Ap (Rdl)层只用做 主要的Power Strap打满全部芯片。但是由于M7 Default下是横向走线，这样在打M1 Rail时， Rail不好直接向.
版图画完了到最顶层包含pad的时候跑full chip drc检查的时候会报lup的错误。具体是lup.4错误，描述是说within 15 um space from the od injector, minimum width for. Drc lup.6g drc一直有这样的错误 lup.6g { @ any point inside nmos source/drain space to the. 請問各位大大,什麼是guard ring,strap,pick up 什麼是guard ring,strap,pick up ,eetop 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)
Drc Lup.6G Drc一直有这样的错误 Lup.6G { @ Any Point Inside Nmos Source/Drain Space To The.
請問各位大大,什麼是guard ring,strap,pick up 什麼是guard ring,strap,pick up ,eetop 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) 版图画完了到最顶层包含pad的时候跑full chip drc检查的时候会报lup的错误。具体是lup.4错误，描述是说within 15 um space from the od injector, minimum width for. 我用的tsmc65nm 1p7m 工艺， 并打算把m7和ap (rdl)层只用做 主要的power strap打满全部芯片。但是由于m7 default下是横向走线，这样在打m1 rail时， rail不好直接向.
